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更具体地，本发明明涉及用于制造包括多个电极的集成电路的方法，所述方法包括。更具体地，本发明涉及一种用于制造包括多个电极的集成电路的方法，所述方法包括括下面的步骤：提供基底，所述基底包括第一导电类型的金属氧化物半导体层，所述第一导电类型的金属氧化物半导体层具有至少一个源极和漏极。本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中，通过在基底上沉积一层或多层金属氧化物半导体层，可以提高器件的性能。

本明还提供一种制造半导体器件的方法，其中，通过在基底上沉积一层或多层金属氧化物半导体层，可以提高器件的性能。这些方法包括但不限于溅溅射和cvd。然而，本发明的实施例并不局限于此。在一个实施例中，提供一种制造半导体器件的方法，其中，通过在基底上沉积一层或多层金金属或金属合金，形成具有预定厚度的多层结构。