首先,ASML明确对外表示,限制ASML等对外出货不是好事,只会加速其它厂商尽快突破,还破坏了全球芯片产业链,进一步导致全球缺芯。
ASML总裁更是直言,由于缺芯已经开始影响半导体设备供应商,未来2年将会出现光刻机等设备短缺的问题,而ASML积压的光刻机订单到2024年才能消化完。言外之意就是,光刻机产能紧张,也将开始出现短缺的情况,而出现这样的情况,修改规则芯片等规则,限制ASML等企业自由出货也是原因之一。
其次,ASML是荷兰的企业,但ASML的光刻机设备能否自由出货却不是其说得算,主要原因就是ASML也采用了相关美技术。
在这样情况下,荷兰也宣布了新决定,投资11亿欧元到光电芯片领域内,希望打造另外一个“ASML”,目的是保证在下一代芯片技术上实现领先。都知道,光电芯片被称为下一代芯片技术,相比传统的硅芯片,其具备传输速度快、传输能力强等特点,华为早就开始在光电芯片领域内发力,并做到了行业领先。
关键是,任正非曾明确表示,光电芯片可以完全绕开美芯技术,让华为可以彻底解决芯片问题,所以华为早就计划在英剑桥附近投资10亿英镑建设全球研发中心等。而荷兰也宣布进入光电芯片领域内,由此可见,其也是不想被限制自由出货,甚至是想建立完全自主的芯片产业链。
最后,ASML明确表示扩大EUV光刻机的产能,预计今明年两年量产115台EUV光刻机,并计划在2025年实现了EUV光刻机在全球的使用率高达60%。
这意味着ASML正在加速EUV光刻机的普及速度,目的就是想尽快实现EUV光刻机自由出货。最主要的是,ASML加速了全新一代高孔径值EUV光刻机研发制造,预计原型机将会在2023年完成,首批出货可能是在2024年往后。
该光刻机可以生产制造更先进制程的芯片,将芯片制程缩小至2nm以下,甚至是1nm。但台积电宣布1、4nm芯片发展规划后,ASML就明确表示现有的设备和技术可以将芯片缩小至2nm以下。
从ASML的这一表态来看,其就明显就是说美芯制造技术落后,不是ASML的问题,是其技术的问题。因为台积电可以利用AMSL现有的设备将芯片制程缩小至2nm以下。
一、SK海力士最新研发的DDR5-6400内存,采用了怎样的技术规格?
优质答案1:
在本周的国际固态电路会议上,SK 海力士详细披露了自家即将上市的 DDR5-6400 内存芯片的一些技术细节。
该公司的 16 Gb DDR5 芯片的规模成本,导致其初期成本可能非常高昂。不过每平方毫米 DRAM 密度的增加,有望让 SK 海力士打造出相当经济的 8Gb DDR5 IC 。SK 海力士描述道:这款 DDR5 内存采用了单颗 16Gb 的存储颗粒(32 & 8 banks 组成),工作电压 1、1V、传输速率 6400 MT/s 。
EETimes 报道称,其采用 SK 海力士的第二代 10nm 工艺制造(1y nm 技术 / 四金属层),封装尺寸为 76、22 平方毫米。
TechInsights 指出,海力士的 8Gb DDR4 内存,使用了第一代 21nm 制造工艺,封装尺寸也是 76 平方毫米。不过类似的 DDR5 产品,核心尺寸只有 53、6 平方毫米。
得益于存储密度的增加,SK 海力士有望为 PC 客户打造成本相对较低的 8Gb DDR5 芯片。此外,DDR5 DRAM 还能够带来更高的性能(更高的工作频率)。
为减少影响高频工作稳定性的时钟抖动和占空比失真,SK 海力士必须制作一套新的延迟锁定环(DLL)方案。该公司的选择,是采用相位旋转器和注入锁定振荡器。
此外,该芯片还配备了可修正的前向反馈均衡(FFE)电路,以及全新的写入级别训练方法(同样支持更高频的时钟)。
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