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本发明涉及一种电子设备，包括：显示器，所述显示器具有第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面彼此相对设置，其中，所述第第一表面包括多个像素，所述第二表面包括多个像素，其中，所述多个像素中的每一个包括至少一个光电二极管。本发明还涉及一种电子设备，包括：：多个像素，其中，所述多个像素中的每一个包括至少一个光电二极管。

本发明还涉及一种用于制造这种电子设备的方法，其中，所述方法包衬底上形成第一导电层，其中，所述第一导电层包括多个像素，其中，所述多个像素中的每一个包括至少一个光电二极管。本发明还涉及用于制造这种半导体器件的方法。

在一个实施例中，提供一种半导体器件，其包括：衬底，其具有第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面彼此相对设置，其中所述衬底包括多个栅极结构，每个栅极结构包括多个源极/漏极区域，其中所述源极/漏极区域中的至少一个区域与所述述多个栅极结构中的至少一个区域交叠。本发明还提供一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：提供具有第一表面和第二表面的基底，所述述第一表面和所述第二表面彼此相对设置，其中所述第一表面和所述第二表面的至少一部分包括多晶硅层，其中所述多晶硅层包括至少一个源极和一个个漏极区，其中所述源极和所述漏极区中的至少一个具有比所述第一表面和所述第二表面的至少一个更高的折射率。本发明提供一种半导体器件，其其包括。

更具体地，涉及一种半导体器件，其包括：衬底，其具有形成在衬底上的栅极绝缘层，以及形成在栅极绝缘层上的源极和漏极区，其中所所述源极区具有第一掺杂浓度，所述漏极区具有第二掺杂浓度。本发明还涉及一种制造半导体器件的方法，其包括。